同步輻射光源，包括及紫外光(~100eV)與軟X光(1~2 KeV)，均可作為微影光源以產生奈微米尺寸的結構，提供半導體與奈微系統應用。
X光製造技術 (LIGA技術)
係利用光刻、電鑄、模造的方式以大量製造奈微米結構。利用高強度高準直度的同步輻射X光作為微影光源，更可提供高解析、高深寬比的特殊奈微加工能力，可廣泛應用在微光學、微波、微流體或微機械元件。（更多資訊）
極紫外光微影 (6.7~13.5 nm)
是目前半導體微影技術的主流。利用同步輻射EUV光源，目前有國家奈米計畫(I,II)於本中心執行(2008.8~2013.7)，並陸續建立數個關鍵實驗設施，包括光釋氣分析、輻射損傷分析、光學性質nkt量測與光干涉微影實驗站，可提供產學界進行相關研究。