產業應用 / 工業應用選例
極紫外光微影分析技術
(微影技術專案 許博淵 博士 ext.7316, e-mail: yuan@nsrrc.org.tw)
極紫外光微影(EUVL)是22nm結點以下之次世代微影技術中的主流技術。與現今的深紫外光(l=193nm)微影技術相較，極紫外光的波長(13.5nm)大幅縮短，能量更高，因此從光源、光罩、光阻、檢測、微影製程到元件可靠度均與目前的技術有極大的差異。本中心提供同步輻射EUV光源(08A1, 21B2)，配合EUVL國家奈米計畫的執行與國內多所大學合作，於本中心成功建立多項關鍵設備與技術，其中包括(1). 配備四極質譜儀的光阻釋氣分析系統，(2). EUV反射儀以量測薄膜的光學(nkt)性質，(3). EUV干涉微影系統，(4). EUV輻射損傷評估系統，(5). 新建19A1 EUV光束線。未來仍將繼續規劃其他相關設施。
(左）高精度EUV反射儀 (右). TLS 21B2光束線的干涉微影系統
(左).EUV反射儀技術規格 (右). EUV反射儀量測與分析結果
(左). EUV干涉微影示意圖， (右).利用 EUV干涉微影所得到的光阻圖形