Photonic-crafting of Non-volatile and Rewritable Antiferromagnetic Spin Textures with Drastic Difference in Electrical Conductivity
光刻非易失性並可重複電讀取之反鐵磁電子自旋紋理
C.-Y. Kuo*(郭昌洋), Y.-D. Liou, Z. Hu, S.-C. Liao, H.-M. Tsai(蔡煌銘), H.-W. Fu(傅皇文), C.-Y. Hua(花志宇), Y.-C. Chen, H.-J. Lin(林宏基), A. Tanaka, C.-T. Chen(陳建德), J.-C. Yang, and C.-F. Chang
2022/07/07
反鐵磁自旋電子學是非易失性數據存儲和信息處理的新興領域。反鐵磁材料的零淨磁化和零雜散場消除了相鄰單元之間的干擾，從而實現了高密度存儲器集成。然而，這種不可見的磁特性同時也對控制和檢測反鐵磁體的磁態提出了很大的挑戰。在本研究裡，我們發現了室溫下應變 BiFeO3 薄膜中能量接近的兩種反鐵磁自旋態。它可以通過中等磁場和非接觸光學方法在這兩種非易失性反鐵磁狀態之間可逆地切換。更重要的是，這兩種反鐵磁紋理的區域的電導率是截然不同的；展示了 BiFeO3 薄膜中這些新發現的雙穩態反鐵磁態的光學寫入和電讀取能力。
Glossary:
兩種非易失性可切換反鐵磁紋理的電導率
研究動態
