Perpendicular Magnetic Anisotropy Induced by NiMn-based Antiferromagnetic Films with In-plane Spin Orientations: Roles of Interfacial and Volume Antiferromagnetic Moments
具平行自旋方向之NiMn基反鐵磁薄膜引發的垂直磁異向性：界面和體積反鐵磁矩的作用
B.-Y. Wang*, C.-H. Hsiao, B.-X. Liao, C.-Y. Hsu, T.-H. Li, Y.-L. Hsu, Y.-M. Lai, M.-S. Tsai, T.-H. Chuang, and D.-H. Wei
2021/10/01
反鐵磁薄膜是近期新發現可用於產生鐵磁層垂直磁異向性的新穎材料，並有希望可應用於未來的垂直磁性元件中。彰師大物理系王柏堯教授團隊與同步輻射中心魏德新博士、莊子弘博士合作，通過研究一系列具有平行自旋的 NiMn 基反鐵磁薄膜對鄰近鐵磁層磁異向性的影響，發現此類反鐵磁/鐵磁薄膜必須滿足兩個條件才能引發垂直磁性：(1)反鐵磁層與鐵磁層界面之未補償 Mn 矩的垂直界面晶格異向性必須建立，(2) 這些介面磁矩必須與體積層內之反鐵磁層磁矩產生交換耦合。本研究闡明具平行自旋結構的 NiMn 基反鐵磁薄膜是如何觸發鐵磁薄膜的垂直磁性，從而更深入了解控制此類反鐵磁層誘發垂直磁性的途徑。本研究使用TLS 05B2 光束線。
研究動態
