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Establishment of the Interconnectivity among P(NDI2OD-T2)s in Organic Field-effect Transistors by Non-conjugated Crystalline Polymers
利用非共軛結晶性高分子建立P(NDI2OD-T2)之晶區間聯結併應用於有機場效電晶體
H.-R. Yang, C.-W. Pai, H.-S. Sun, C. Wu, Y.-Y. Lai*, S.-C. Haw, J.-J. Lee, and J. M. Chen
2021/07/01
利用相分離來調控薄膜之形態，使其達到良好的電子遷移率，並不易實現。於此研究中我們使用P(NDI2OD-T2) 混摻各種比例之非共軛結晶性高分子—PEO、aPP及iPP以製備成薄膜。並利用低掠角X光散射儀(GIXS)、近邊緣X光吸收光譜儀(NEXAFS)、紫外-可見光光譜儀(UV−Vis)及原子力顯微鏡(AFM)，探討其形貌變化。研究結果發現，可藉由調控P(NDI2OD-T2)的聚集程度而達到高分子鏈之間的連結。此外，當達一特定混摻比例時，可觀察到P(NDI2OD-T2)的晶相(crystal domain)堆疊發生改變。有機場效電晶體中的上接觸/下閘極 (Top contact/Bottom gate) 此項幾何元件結構用以量測混摻薄膜的電子遷移率。根據方程式擬合(fitting)結果得知，P(NDI2OD-T2)的π方向堆疊以及高分子主鏈在電子遷移率上具有相當程度的影響。此研究成果展示了使用相分離來改變薄膜型貌，並建構互聯的π共軛網絡來改善電子遷移率。