Ultrafast Responsive Non-volatile Flash Photomemory via Spatially Addressable Perovskite/Block Copolymer Composite Film
鈣鈦礦/嵌段共聚物複合薄膜於超快響應非揮發性快閃光記憶體之應用
Y.-H. Chang, C.-W. Ku, Y.-H. Zhang, H.-C. Wang, and J.-Y. Chen*
2021/07/01
本文利用高激子壽命和低結合能的有機-無機鈣鈦礦材料，因為其獨特光物理性質得以應用在新穎的非揮發性快閃光記憶。但是，光記憶體的長時間光寫入限制了其在光照上網技術(light-fidelity, Li-Fi)上的應用，這需要高儲存容量和短時間光寫入的特性，因此在本文中利用嵌段共聚物聚苯乙烯-b-聚環氧乙烷(polystyrene-block-poly(ethylene oxide), PS-b-PEO)其具有自主裝的特性可成功的控制鈣鈦礦(MAPbBr3)在形貌上的變化，並影響光記憶體在電性上的表現，其中鈣鈦礦中的鉛離子與聚環氧乙烷間的螯合促進了聚苯乙烯-b-聚環氧乙烷/鈣鈦礦薄膜的抗溶劑能力，因此能以溶液製成旋轉塗佈的方式塗佈聚(3-己基噻吩-) (poly(3-hexylthiophene), P3HT)作為電荷載子傳輸層，通過操縱鈣鈦礦與P3HT之間的界面區域，可以實現0.056 ns-1的快速光響應電荷傳輸速率，89％的高電荷傳輸效率，104的照光開關電流比和5 ms的極短光寫入時間。這種可溶液製成的，可快速光寫入的非揮發性快閃光記憶體可以作為Li-Fi的實際應用。本研究使用TLS 13A1和TLS 23A1光束線。
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