Influence of Gamma-ray Irradiation and Postannealing Studies on Pentacene Films: the Anisotropic Effects on Structural and Electronic Properties
五環素薄膜經加馬射線照射及退火後之結構及電性的異向性研究
A. K. Anbalagan, C.-Y. Jao, M. Syabriyana, C.-L. Fan, S. Gupta, M. Chaudhary, Y.-L. Chueh, N.-H. Tai, and C.-H. Lee*
2021/07/01
五環素薄膜經由真空蒸鍍製成20nm厚度,其結構利用掠角X繞射測定具有異向性。我們以 NEXAFS, XRD, Hall 測量研究經 0-3 kGy加馬射線照射及退火後之變化。五環素薄膜經加馬射線照射後產生缺陷,X光繞射強度降低,移動率下降,但是載子濃度上升,最後因此電阻下降。垂直薄膜之電阻高是因為薄膜中五環素分子以凡德瓦爾力組合,而平面電阻低是因為五環素分子之電子以鍵結傳輸。角度解析之NEXAFS測量顯示經加馬射線照射後碳的1s到p*躍遷未填滿的p*電子軌域增加; 這與電性測量吻合。 而且,五環素薄膜因含有苯環較多,其結構較耐輻射損傷,經退火處理後缺陷及電阻得以回升,因此有可能作為輻射劑量計。
研究動態
