中心簡介 / 同仁通訊錄

材料科學小組


姓名: 徐嘉鴻( Chia-Hung Hsu )
分機: 8305
電子郵件: chsu@nsrrc.org.tw
學歷:
  • 1982 國立台灣師範大學物理系學士
  • 1986 美國加州大學洛杉磯分校物理系碩士
  • 1992 美國波士頓大學物理系博士
經歷:
  • 2012- 迄今 國立清華大學先進光源學程合聘教授
  • 2010- 迄今 國立交通大學光電工程研究所合聘教授
  • 2009- 迄今 國家同步輻射研究中心研究員
  • 2008-2009 國立交通大學光電工程研究所合聘副教授
  • 1993-2008 國家同步輻射研究中心副研究員
  • 1992-1993 哈佛大學應用科學組博士後研究
負責實驗站:
  • X光實驗室6環繞射儀
研究領域:
  • 個人的研究主要為各種薄膜及磊晶奈米材料的結構和生長機制的研究,主要的研究工具為同步輻射X光散射再搭配掃描式探針顯微鏡及光激螢光能譜(photoluminescence, PL)等其他物性的量測技術,研究課題包括:
    金屬氧化物磊晶薄膜的晶體結構與介面原子排列的研究,藉此驗證介面化學及薄膜磊晶生長機制的理論以及原子結構對高介電閘極氧化物電性的影響。
    利用不同的鍍膜技術生長以氧化鋅為基礎的各種磊晶薄膜及量子阱系統並研究其應力分佈、進行結構缺陷分析及結構特徵對其光電特性的影響。
    近年利用不同的基板成長高品質的非極性氧化鋅磊晶薄膜及多層膜,並對其結構與光性進行深入的研究。
    各種新穎磊晶薄膜材料的原子結構研究及同步輻射結構分析實驗技術的發展等。
代表作:
  • B. H. Lin, W.-R. Liu, C. Y. Lin, S. T. Hsu, S. Yang, C. C. Kuo, C.-H. Hsu*, W. F. Hsieh*, F. S.-S. Chien, C. S. Chang, "Single domain m-plane ZnO grown on m-plane sapphire by radio-frequency magnetron sputtering", ACS Appl. Mater. Inter. 4, 5333 (2012). (2011 IF = 4.525)
  • W.-R. Liu, B. H. Lin, S. Yang, C. C. Kuo, Y.-H. Li, C.-H. Hsu,* W. F. Hsieh,* W. C. Lee, M. Hong, and J. Kwo, ”The influence of dislocations on optical and electrical properties of epitaxial ZnO on Si (111) using a -Al2O3 buffer layer”, CrystEngComm 14, 1665 (2012).(2011 IF =3.842)
  • B. H. Lin, W.-R. Liu, S. Yang, C. C. Kuo, C.-H. Hsu*, W. F. Hsieh*, W. C. Lee, Y. J. Lee, M. Hong, and J. Kwo, "The growth of epitaxial ZnO film on Si(111) with Gd2O3(Ga2O3) buffer layer", Cryst. Growth & Design 11, 2846 (2011). (2010 IF = 4.389)
  • S. Yang, B. H. Lin, W.-R. Liu, J.-H. Lin, C.-S. Chang, C.-H. Hsu*, and W.F. Hsieh*, "Structural characteristics and annealing effect of ZnO epitaxial films grown by atomic layer deposition", Cryst. Growth Des. 9, 5184 (2009). (2008 IF = 4.215)
  • Wen Hsin Chang, Chih Hsun Lee, Yao Chung Chang, Pen Chang, Mao Lin Huang, Yi Jun Lee, Chia-Hung Hsu*, J. Minghuang Hong, Chiung Chi Tsai, Jueinai Kwo* and Minghwei Hong*, "Nano-meter thick single crystal hexagonal Gd2O3 on GaN for advanced complementary metal-oxide-semiconductor technology", Adv. Mater. 21, 4970 (2009). (2008 IF = 8.191)
  • C. C. Kuo, W.-R. Liu, W. F. Hsieh*, C.-H. Hsu*, H. C. Hsu, and L. C. Chen, "Crystal symmetry breaking of wurtzite to orthorhombic in nonpolar a-ZnO epi-films", Appl. Phys. Lett. 95, 11905 (2009). (2008 IF = 3.726)
  • W.-R. Liu, Y.-H. Li, W. F. Hsieh*C.-H. Hsu*, W. C. Lee, Y. J. Lee, M. Hong, and J. Kwo, "Domain matching epitaxial growth of high-quality ZnO film using a Y2O3 buffer layer on Si (111)", Cryst. Growth Des. 9, 239 (2009). (2008 IF = 4.215)
  • C. W. Nieh, Y. J. Lee, W. C. Lee, Z. K. Yang, A. R. Kortan, M. Hong*, J. Kwo, and C.-H. Hsu*, "Nano-meter thick single crystal Y2O3 films epitaxially grown on Si (111) with structures approaching perfection", Appl. Phys. Lett. 92, 61914 (2008). (2010 IF = 3.82)
  • Z. K. Yang, W. C., Lee Y. J. Lee, P. Chang, M. L. Huang, M. Hong, K. L. Yu, M.-T. Tang, B.-H. Lin, C.-H. Hsu*, and J. Kwo*, "Structural and compositional investigation of yttrium-doped HfO2 films epitaxially grown on Si (111)", Appl. Phys. Lett. 91, 202909 (2007). (2010 IF = 3.82)
  • C.-H. Hsu*, Mau-Tsu Tang, Hsin-Yi Lee, Chih-Mon Huang, K. S. Liang, S. D. Lin, Z. C. Lin, C. P. Lee, "Composition Determination of Semiconductor Quantum Wires by X-ray Scattering", Physica B 357, 6 (2005). (2010 IF = 1.909)